[发明专利]一种晶圆减薄方法在审
| 申请号： | 201810786447.4 | 申请日： | 2018-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN109037033A | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 杨一凡 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种晶圆减薄方法，应用于一设备晶圆的背面，设备晶圆的正面与一承载晶圆连接；包括：步骤S1，采用一第一研磨工艺对设备晶圆的背面进行研磨，以将设备晶圆的背面减薄第一预设厚度；步骤S2，采用一第二研磨工艺对设备晶圆的背面进行研磨，以将设备晶圆的背面减薄第二预设厚度；其中，步骤S1中，第一研磨工艺为采用第一研磨液对设备晶圆的背面进行研磨；步骤S2中，第二研磨工艺为采用用于清除残留物的第二研磨液进行研磨；能够去除研磨产生的杂质和残留，同时避免氧化层和/或氮化层对研磨效果的影响，保证了研磨的有效性。 | ||
| 搜索关键词： | 研磨 晶圆 背面 对设备 背面减薄 研磨液 减薄 预设 种晶 半导体技术领域 氮化层 氧化层 去除 残留 承载 应用 保证 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆减薄方法，应用于一设备晶圆的背面，所述设备晶圆的正面与一承载晶圆连接；其特征在于，包括：步骤S1，采用一第一研磨工艺对所述设备晶圆的背面进行研磨，以将所述设备晶圆的背面减薄第一预设厚度；步骤S2，采用一第二研磨工艺对所述设备晶圆的背面进行研磨，以将所述设备晶圆的背面减薄第二预设厚度；其中，所述步骤S1中，所述第一研磨工艺为采用第一研磨液对所述设备晶圆的背面进行研磨；所述步骤S2中，所述第二研磨工艺为采用用于清除残留物的第二研磨液进行研磨。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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