[发明专利]一种针对晶圆缺陷的自动打墨方法有效
| 申请号： | 201810786461.4 | 申请日： | 2018-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN109065474B | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 沈美丽 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种针对晶圆缺陷的自动打墨方法，包括：步骤S1，对每个晶圆分别进行缺陷检测；步骤S2，分别记录检测到的每个缺陷在晶圆上的晶圆坐标信息，以及反映进行缺陷扫描的开始时间的缺陷扫描时间信息；步骤S3，判断晶圆的缺陷扫描时间信息反映的开始时间是否落后于一预设时间点；若是，则转向步骤S4；若否，则转向步骤S5；步骤S4，按照一预设规则对晶圆坐标信息进行坐标转换，以形成新的晶圆坐标信息，并转向步骤S5；步骤S5，将当前的晶圆坐标信息转换为晶片坐标信息，晶片坐标信息用于反映缺陷对应的晶片在对应的晶圆上的坐标；步骤S6，按照晶片坐标信息对相应的晶片进行打墨；能够实现自动打墨，效率高，出错率低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 针对 缺陷 自动 方法 | ||
【主权项】：
1.一种针对晶圆缺陷的自动打墨方法，其特征在于，应用于进行键合的复数个晶圆，每个所述晶圆上包括复数个晶片；所述自动打墨方法包括：步骤S1，对每个所述晶圆分别进行缺陷检测；步骤S2，分别记录检测到的每个缺陷在所述晶圆上的晶圆坐标信息，以及反映进行缺陷扫描的开始时间的缺陷扫描时间信息；步骤S3，判断所述晶圆的所述缺陷扫描时间信息反映的开始时间是否落后于一预设时间点；若是，则转向步骤S4；若否，则转向步骤S5；步骤S4，按照一预设规则对所述晶圆坐标信息进行坐标转换，以形成新的所述晶圆坐标信息，并转向步骤S5；步骤S5，将当前的所述晶圆坐标信息转换为晶片坐标信息，所述晶片坐标信息用于反映缺陷对应的所述晶片在对应的所述晶圆上的坐标；步骤S6，按照所述晶片坐标信息对相应的所述晶片进行打墨。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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