[发明专利]一种用于非接触、点扫描曝光的SP光刻静电微距悬浮结构方案在审
| 申请号： | 201810787649.0 | 申请日： | 2018-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN109240042A | 公开（公告）日： | 2019-01-18 |
| 发明（设计）人： | 王皓;褚佳伟;王广平;望凯力;吕亦乐 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开一种用于非接触、点扫描曝光的SP光刻静电微距悬浮结构方案，其方案通过静电排斥原理实现光刻探针头与下电极(感光面)之间悬浮，悬浮间距可达到SP光刻技术要求的1nm量级～10nm量级，并通过上电极与下电极(感光面)之间电容差动变化，实现对光刻探针头与下电极(感光面)之间悬浮间距的检测。这种静电悬浮技术有效克服了SP光刻技术中如何形成微悬浮间距难题。将该方案运用于某种光刻机上，在进行预调平后，便能通过此技术使得在光刻过程中光刻探针头始终与下电极(感光面)平行。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 感光面 下电极 悬浮 探针头 光刻技术 悬浮结构 静电 点扫描 非接触 微距 差动变化 光刻过程 静电排斥 静电悬浮 原理实现 曝光 电极 电容 预调 平行 检测 | ||
【主权项】：
1.一种用于非接触、点扫描曝光的SP光刻静电微距悬浮的结构方案，其特征在于：以硅片的感光面作为下电极，并在上电极与下电极之间施加一直流电压，在静电场下利用静电排斥作用，实现光刻探针头与下电极(感光面)之间可沿任意轨迹相对平移移动的微距静电悬浮。
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