[发明专利]一氧化硅复合负极材料制备用气相沉积装置及其使用方法在审
申请号: | 201810787680.4 | 申请日: | 2018-07-18 |
公开(公告)号: | CN109082646A | 公开(公告)日: | 2018-12-25 |
发明(设计)人: | 武建军 | 申请(专利权)人: | 大同新成新材料股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/26 | 分类号: | C23C16/26;C23C16/44 |
代理公司: | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人: | 申绍中 |
地址: | 037002 *** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | 本发明公开了一氧化硅复合负极材料制备用气相沉积装置,包括底座,所述底座上端固定安装有坩埚筒,所述坩埚筒上端密封扣接有绝缘筒盖;所述坩埚筒下端安装有出料管、搅拌电机和进气管一;所述坩埚筒外壁上缠绕有感应线圈。有益效果在于:本发明所述的一氧化硅复合负极材料制备用气相沉积装置及其使用方法能够实现粉碎颗粒表面包裹的碳纳米管和无定型碳包覆层致密、均匀,包覆效果好,而且制备复合颗粒作业所花费的时间较短,因此能够有效降低生产成本,实用性好。 | ||
搜索关键词: | 坩埚筒 复合负极材料 气相沉积装置 一氧化硅 制备 底座 致密 制备复合颗粒 表面包裹 粉碎颗粒 感应线圈 搅拌电机 上端固定 上端密封 碳纳米管 无定型碳 包覆层 出料管 进气管 绝缘筒 包覆 扣接 外壁 下端 缠绕 | ||
【主权项】:
1.一氧化硅复合负极材料制备用气相沉积装置,包括底座(1),其特征在于:所述底座(1)上端固定安装有坩埚筒(2),所述坩埚筒(2)上端密封扣接有绝缘筒盖(4);所述坩埚筒(2)下端安装有出料管(7)、搅拌电机(8)和进气管一(9);所述坩埚筒(2)外壁上缠绕有感应线圈(3);所述坩埚筒(2)的筒壁和筒底内分别开设有互不连通的储气套(21)和储气腔(22),所述进气管一(9)与所述储气腔(22)连通,所述坩埚筒(2)外壁上固定安装有与所述储气套(21)连通的进气管二(10);所述坩埚筒(2)的内壁和内侧底面上均镶嵌有多个分别与所述储气套(21)和所述储气腔(22)连通的喷气嘴(23);所述坩埚筒(2)内竖直滚动安装有下端与所述搅拌电机(8)输出轴固定连接的绝缘搅拌轴(18),所述绝缘搅拌轴(18)上固定安装有导电螺旋叶片(19),所述导电螺旋叶片(19)上布满落料通孔(20);所述喷气嘴(23)包括密封盒(24)、固定安装在所述密封盒(24)内的气嘴体(25)以及设置在密封盒(24)的盒口内的防护网(26);所述绝缘筒盖(4)上表面安装有显示屏(15)、处理器(16)和与所述坩埚筒(2)内部连通的进料斗(11)以及温度传感器(17),所述处理器(16)与所述显示屏(15)和所述温度传感器(17)电连接;所述进料斗(11)、所述进气管一(9)、所述出料管(7)和所述进气管二(10)上均安装有控制阀(12)。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的