[发明专利]碳纳米管复合薄膜的制备方法、碳纳米管TFT及其制备方法

摘要

本发明公开了一种碳纳米管复合薄膜的制备方法，包括：提供一衬底；在衬底上涂覆溶有带电聚合物的第一水溶液以形成聚合物层；将半导体型单壁碳纳米管分散至溶有带电化合物的第二水溶液中，得到半导体型单壁碳纳米管水溶液，带电化合物与带电聚合物的电荷性质相反；将半导体型单壁碳纳米管水溶液涂覆在聚合物层上；静置预定时间后，去除未吸附的半导体型单壁碳纳米管和多余的带电聚合物；风干，在聚合物层上形成碳纳米管薄膜。本发明还提供了一种碳纳米管TFT及其制备方法。本发明在涂覆碳纳米管水溶液前在衬底上涂覆有一层与碳纳米管水溶液的电荷性质相反的聚合物水溶液，带电聚合物在衬底上具有良好的吸附性和延平性，因此表面包裹有带电荷小分子的碳纳米管可很好地平铺到衬底上。

主权项

1.一种碳纳米管复合薄膜的制备方法，其特征在于，包括：提供一衬底；在所述衬底上涂覆溶有带电聚合物的第一水溶液，以形成聚合物薄膜；将半导体型单壁碳纳米管分散至溶有带电化合物的第二水溶液中，得到半导体型单壁碳纳米管水溶液，所述带电化合物与所述带电聚合物的电荷性质相反；将所述半导体型单壁碳纳米管水溶液涂覆在所述聚合物薄膜上；静置预定时间后，用去离子水冲洗以去除未吸附的半导体型单壁碳纳米管和多余的带电聚合物；风干，在所述聚合物薄膜上形成碳纳米管薄膜。