[发明专利]一种基于磁控溅射的高介电电容器薄膜制备方法在审
| 申请号： | 201810788762.0 | 申请日： | 2018-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN108962593A | 公开（公告）日： | 2018-12-07 |
| 发明（设计）人： | 李琦;成桑;何金良;周垚;曾嵘 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01G4/06 | 分类号： | H01G4/06;H01G4/08;H01G4/10;H01G4/18;H01G4/33;C23C14/08;C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京汇信合知识产权代理有限公司 11335 | 代理人： | 戴凤仪 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于磁控溅射的高介电电容器薄膜制备方法，通过真空射频磁控溅射技术在聚合物电容器薄膜表面沉积高介电常数层，利用高介电常数层的高介电常数提高薄膜整体的介电常数，并且不对聚合物电容器薄膜原有的性能造成影响，从而提高复合薄膜的储能密度。 | ||
| 搜索关键词： | 高介电常数层 高介电电容器 聚合物电容器 薄膜制备 磁控溅射 磁控溅射技术 高介电常数 薄膜表面 薄膜整体 复合薄膜 介电常数 真空射频 原有的 储能 沉积 薄膜 | ||
【主权项】：
1.一种基于磁控溅射的高介电电容器薄膜制备方法，其特征在于：通过真空射频磁控溅射技术在聚合物电容器薄膜表面沉积高介电常数无机物层，利用高介电常数层具有高介电常数的特点，以提高薄膜的等效介电常数，从而提高其能量密度。
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