[发明专利]一种含有应变调制结构的InGaN/GaN多量子阱结构有效
| 申请号： | 201810789081.6 | 申请日： | 2018-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN109065684B | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | 贾志刚;卢太平;董海亮;梁建;马淑芳;许并社 | 申请（专利权）人： | 太原理工大学 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/32 |
| 代理公司： | 太原晋科知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14110 | 代理人： | 任林芳;赵江艳 |
| 地址： | 030024 *** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明涉及三族氮化物半导体光电子材料领域，提出了一种含有应变调制结构的InGaN/GaN多量子阱结构，包括底垒层、顶垒层、位于底垒层和顶垒层之间的多个InGaN量子阱层和设置在各个InGaN量子阱层之间的中间垒层，其特征在于，还包括紧邻所述InGaN量子阱层并设置在其下方第一应变减少层，以及紧邻所述InGaN量子阱层并设置在其上方的第二应变减少层，所述第一应变减少层和第二应变减少层为In组分低于10%的InGaN层，所述中间垒层包括应变补偿层，所述应变补偿层为晶格常数小于所述底垒层和顶垒层的垒层。本发明为为提升GaN基蓝绿光LED及激光器效率提供了一种新型的有源区结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 含有 应变 调制 结构 ingan gan 多量 | ||
【主权项】：
1.一种含有应变调制结构的InGaN/GaN多量子阱结构，包括底垒层、顶垒层、位于底垒层和顶垒层之间的多个InGaN量子阱层和设置在各个InGaN量子阱层之间的中间垒层，其特征在于，还包括紧邻所述InGaN量子阱层并设置在其下方的第一应变减少层，以及紧邻所述InGaN量子阱层并设置在其上方的第二应变减少层，所述第一应变减少层和第二应变减少层为In组分低于10%的InGaN层，所述中间垒层包括应变补偿层，所述应变补偿层为晶格常数小于所述底垒层和顶垒层的垒层。
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