[发明专利]一种锆掺杂有机薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201810789212.0 | 申请日： | 2018-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN109244239A | 公开（公告）日： | 2019-01-18 |
| 发明（设计）人： | 陆旭兵;唐乃维;麦嘉盈 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L51/30 | 分类号： | H01L51/30;H01L51/05;H01L51/40 |
| 代理公司： | 广州骏思知识产权代理有限公司 44425 | 代理人： | 吴静芝 |
| 地址： | 510006 广东省广州市番禺区外*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种锆掺杂有机薄膜晶体管及其制备方法，该锆掺杂有机薄膜晶体管包括衬底以及在衬底表面依次层叠的栅电极、镧锆氧化物介电薄膜、PαMS薄膜、并五苯有缘层和源漏电极。该制备方法首先在清洗干净的衬底上沉积底栅电极，然后将镧锆氧化物前驱体涂覆在栅电极上后进行热处理，制得镧锆氧化物介电薄膜，接着在介电薄膜上旋涂修饰层，最后制备有源层和源漏电极，即可得到锆掺杂有机薄膜晶体管。本发明的锆掺杂有机薄膜晶体管具有低工作电压和高迁移率，其制备方法条件温和、操作简单、制备成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 有机薄膜晶体管 制备 锆掺杂 镧锆氧化物 介电薄膜 源漏电极 栅电极 衬底 低工作电压 热处理 衬底表面 底栅电极 高迁移率 依次层叠 并五苯 前驱体 修饰层 上旋 涂覆 源层 沉积 薄膜 清洗 | ||
【主权项】：
1.一种锆掺杂有机薄膜晶体管，其特征在于：包括衬底以及在衬底表面依次层叠的栅电极、镧锆氧化物介电薄膜、PαMS薄膜、并五苯有缘层和源漏电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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