[发明专利]具有错误校正逻辑的存储模块在审
| 申请号： | 201810789570.1 | 申请日： | 2012-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN109065096A | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | G.特雷齐斯;A.哈纳 | 申请（专利权）人： | 慧与发展有限责任合伙企业 |
| 主分类号： | G11C29/42 | 分类号： | G11C29/42;G11C7/24 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 吕传奇;陈岚 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种存储模块，包括错误校正逻辑，用于为存储在存储模块中的数据提供数据错误保护。该错误校正逻辑可在使能状态和禁用状态之间选择性地控制。如果错误校正逻辑处于禁用状态中，则存储在存储模块中的数据不具有由存储模块提供的错误保护。 | ||
| 搜索关键词： | 存储模块 错误校正 错误保护 禁用状态 存储 数据提供 使能 | ||
【主权项】：
1.一种存储模块（102），包括：存储器（108），以及错误校正逻辑（112,308），用于检测和校正存储在存储器中数据的错误，其中所述错误校正逻辑（112）可在使能状态和禁用状态之间选择性地控制，其中，如果所述错误校正逻辑（112）处于禁用状态中，则存储器（108）在存储模块（102）不提供错误保护的情况下存储数据，并且其特征在于所述存储器（108）包括多个存储器件（110‑1至110‑9），并且至少所述存储器件（110‑1至110‑9）的子集存储错误校正码（304）以在所述错误校正逻辑（112,308）处于使能的情况下供所述错误校正逻辑（112,308）使用，并且所述存储器件（110‑1至110‑9）的至少另一存储器件存储基于跨越所述子集的存储器件（110‑1至110‑9）的数据的错误校正码（306,307）。
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