[发明专利]双模激光器THz泵浦源的制作方法有效
| 申请号： | 201810789658.3 | 申请日： | 2018-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN108923259B | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 梁松;刘云龙 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34;H01S5/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤宝平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种双模激光器THz泵浦源的制作方法，包括如下制作步骤：利用选择区域外延生长技术或对接生长技术在衬底上获得增益区量子阱的材料、放大器区量子阱的材料及调制器区量子阱的材料；利用量子阱混杂技术或对接生长技术，在衬底上获得获得光栅区的材料及相位区的材料；在光栅区的材料上制作光栅；在增益区的量子阱材料、放大器区的量子阱材料、调制器区的量子阱材料、相位区的材料和光栅区的材料上生长接触层；在接触层上相对于增益区、放大器区、调制器区、光栅区及相位区之间的位置制作隔离沟；在接触层上的隔离沟之间分别制作电吸收调制器电极、光放大器电极、前光栅电极、增益区电极、相位区电极及后光栅电极；将衬底减薄后在其背面制作N面电极。 | ||
| 搜索关键词： | 双模 激光器 thz 泵浦源 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种双模激光器THz泵浦源的制作方法，包括如下制作步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：利用选择区域外延生长技术或对接生长技术在衬底上获得增益区量子阱的材料、放大器区量子阱的材料及调制器区量子阱的材料；步骤3：利用量子阱混杂技术或对接生长技术，在衬底上获得获得光栅区的材料及相位区的材料；步骤4：在光栅区的材料上制作光栅；步骤5：在增益区的量子阱材料、放大器区的量子阱材料、调制器区的量子阱材料、相位区的材料和光栅区的材料上生长接触层；步骤6：在接触层上相对于增益区、放大器区、调制器区、光栅区及相位区之间的位置制作隔离沟；步骤7：在接触层上的隔离沟之间分别制作电吸收调制器电极、光放大器电极、前光栅电极、增益区电极、相位区电极及后光栅电极；步骤8：将衬底减薄后在其背面制作N面电极。
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