[发明专利]一种硫族半导体CdX复合H-TiO2基纳米管阵列的制备在审
| 申请号： | 201810789851.7 | 申请日： | 2018-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN108855246A | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 刘世凯;周淑慧 | 申请（专利权）人： | 河南工业大学 |
| 主分类号： | B01J37/34 | 分类号： | B01J37/34;B01J27/04;B01J27/057;B01J37/18;B01J37/02;C25D11/26;C23F13/12;B82Y40/00;B82Y30/00;C02F1/30 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 450001 河南省郑州市高新技*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种硫族半导体CdX复合H‑TiO2基纳米管阵列的制备方法，属于纳米复合材料技术领域。具体制备方法的步骤为：在含钛金属基体上，通过阳极氧化法制备纳米管有序阵列；对所制备的TiO2纳米管有序阵列进行晶化处理后，再进行表面氢化处理，得到H‑TiO2基纳米管阵列；对所制备的H‑TiO2基纳米管阵列与硫族半导体CdX进行复合，制备得到一种硫族半导体CdX复合的H‑TiO2基纳米管阵列。该TiO2纳米管阵列复合材料原料廉价易得，制备方法简单，结构高度有序，拥有较高的比表面积，化学性能稳定，光催化性能较好，光转换率高，不仅可以作为光生阴极保护材料来使用，还可以作为光催化降解污染物材料来使用。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 纳米管阵列 硫族 半导体 复合 表面氢化处理 复合材料原料 光生阴极保护 纳米复合材料 阳极氧化法制 光催化降解 光催化性能 污染物材料 高度有序 含钛金属 化学性能 晶化处理 光转换 纳米管 | ||
【主权项】：
1.一种硫族半导体CdX复合H‑TiO2基纳米管阵列的制备方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施：S1：在含钛金属基体上，通过阳极氧化法制备TiO2纳米管有序阵列；S2：对所制备的TiO2纳米管有序阵列进行晶化处理后，再进行表面氢化处理，得到H‑TiO2基纳米管阵列；S3：对所制备的H‑TiO2基纳米管阵列与一种硫族半导体CdX进行复合，制备得到一种硫族半导体CdX复合的H‑TiO2基纳米管阵列。
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