[发明专利]一种1;3;5-三苯基苯单晶的生长方法在审
| 申请号： | 201810790060.6 | 申请日： | 2018-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN108546996A | 公开（公告）日： | 2018-09-18 |
| 发明（设计）人： | 刘秀华;谭昭怡;穆龙;钟志京;周银行;胥全敏;钟文彬;胡青元 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院核物理与化学研究所 |
| 主分类号： | C30B29/54 | 分类号： | C30B29/54;C30B7/08 |
| 代理公司： | 中国工程物理研究院专利中心 51210 | 代理人： | 翟长明;韩志英 |
| 地址： | 621999 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种1,3,5‑三苯基苯单晶的生长方法，该生长方法包括称量溶剂和1,3,5‑三苯基苯原料、配制溶液、获得近饱和溶液、放入籽晶、分步降温和晶体生长。本发明的1,3,5‑三苯基苯单晶的生长方法使用的溶剂为吡啶。本发明的1,3,5‑三苯基苯单晶的生长方法生长的晶体为长条形无色透明的单晶，属于正交晶系，Pn21a空间群，荧光发射峰值波长为378nm，熔点174.6℃，密度1.20g/cm3。本发明的1,3,5‑三苯基苯单晶的生长方法具有生长周期短，成品率高的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 三苯基苯 单晶 生长 溶剂 熔点 饱和溶液 方法使用 峰值波长 晶体生长 生长周期 荧光发射 正交晶系 长条形 成品率 空间群 称量 放入 籽晶 配制 | ||
【主权项】：
1.一种1,3,5‑三苯基苯单晶的生长方法，其特征在于，所述的生长方法包括以下步骤：a.称量溶剂和1,3,5‑三苯基苯原料所述的溶剂为吡啶溶剂，吡啶溶剂的纯度为分析纯、优级纯或色谱纯；所述的1,3,5‑三苯基苯原料的纯度为分析纯、优级纯或光谱纯；所述的1,3,5‑；其中，S是溶解度，单位g/g，t是摄氏温度；b.配制溶液将称量好的吡啶溶剂置于晶体生长瓶内，再将1,3,5‑三苯基苯原料放吡啶溶剂中，加热晶体生长瓶至超过t的3℃~7℃，加热同时搅拌溶液或转动晶体生长瓶直至1,3,5‑三苯基苯原料完全溶解，得到1,3,5‑三苯基苯的吡啶溶液；c.获得近饱和溶液将步骤b的溶液快速降温，降温速率小于等于2℃/h，降温至温度超过t的1℃~3℃，得到近饱和溶液；d.放入籽晶将小晶体或从大晶体上切割出来的晶块作为籽晶，并将籽晶放入步骤c的晶体生长瓶内的近饱和溶液中；所述的籽晶外形完整、质地均匀、透光性好且无裂痕；e.分步降温和晶体生长首先控制晶体生长瓶的温度以0.10℃/h～0.15℃/h的降温速率降至室温，之后启动制冷系统，控制晶体生长瓶的温度以0.10℃/h～0.15℃/h的降温速率从室温降至冰点以上，完成晶体生长；降温过程中的控温精度小于等于0.1℃。
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