[发明专利]一种防止寄生光响应的全局像元结构及形成方法

摘要

本发明公开了一种防止寄生光响应的全局像元结构，包括设于衬底上的光电二极管、传输管和复位管，以及形成于传输管栅极和复位管栅极之间的衬底中的存储节点；传输管栅极表面、复位管栅极表面和存储节点表面上覆盖有金属掩蔽层，且金属掩蔽层在存储节点上方形成金属掩蔽层开口，接触孔通过金属掩蔽层开口连接存储节点；其中，接触孔自上方将金属掩蔽层开口完全封闭，金属掩蔽层与接触孔的配合面之间充满绝缘介质，可防止入射光线进入存储节点的电荷存储区，避免产生寄生光响应，有效保证全局曝光像素单元存储电容中信号的准确性，避免输出信号的失真。本发明还公开了一种防止寄生光响应的全局像元结构的形成方法。

主权项

1.一种防止寄生光响应的全局像元结构，其特征在于，包括设于衬底上的光电二极管、传输管和复位管，以及形成于传输管栅极和复位管栅极之间的所述衬底中的存储节点；所述传输管栅极表面、复位管栅极表面和存储节点表面上覆盖有金属掩蔽层，且所述金属掩蔽层在所述存储节点上方形成金属掩蔽层开口，接触孔通过所述金属掩蔽层开口连接存储节点；其中，所述接触孔自上方将所述金属掩蔽层开口完全封闭，所述金属掩蔽层与接触孔的配合面之间充满绝缘介质。