[发明专利]半导体器件、半导体封装及制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201810794961.2 | 申请日： | 2018-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN109300871B | 公开（公告）日： | 2023-05-19 |
| 发明（设计）人： | 崔朱逸;文光辰;徐柱斌;林东灿;藤崎纯史;李镐珍 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/48;H01L25/065 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 屈玉华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括：在基板上的导电部件；钝化层，在基板上并且包括暴露导电部件的至少一部分的开口；以及焊盘结构，在开口中并且位于钝化层上，焊盘结构电连接到导电部件。焊盘结构包括：在开口的内侧壁上共形地延伸的下导电层，下导电层包括顺序地堆叠的导电阻挡层、第一籽晶层、蚀刻停止层和第二籽晶层；第一焊盘层，在下导电层上并且至少部分地填充开口；以及第二焊盘层，在第一焊盘层上并且与下导电层的位于钝化层的顶表面上的外围部分接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 半导体 封装 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：在基板上的导电部件；钝化层，在所述基板上并且在其中包括开口，其中所述开口暴露所述导电部件的至少一部分；以及焊盘结构，在所述钝化层上并且在所述开口中，所述焊盘结构电连接到所述导电部件，所述焊盘结构包括：下导电层，在所述开口的内侧壁上以及在围绕所述开口的所述钝化层的顶表面上共形地延伸，所述下导电层包括顺序地堆叠的导电阻挡层、第一籽晶层、蚀刻停止层和第二籽晶层，在所述下导电层上的第一焊盘层，所述第一焊盘层至少部分地填充所述开口，以及在所述第一焊盘层上的第二焊盘层，所述第二焊盘层与所述下导电层的位于所述钝化层的所述顶表面上的外围部分接触。
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