[发明专利]金属硅精炼深度除杂方法有效
| 申请号： | 201810795800.5 | 申请日： | 2018-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN108914203B | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 羊实;周旭 | 申请（专利权）人： | 成都斯力康科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 51220 成都行之专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 唐邦英 |
| 地址： | 610000 四川省成都市天府*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了金属硅精炼深度除杂方法，解决了现有的金属硅在精炼过程中存在杂质扩散不充分而去除不干净的问题。本发明包括如下步骤：将金属硅置于石英坩埚中，并采用真空熔炼炉进行加热并抽真空；注入保护性气体；熔炼温度上升到1450℃‑1750℃时，石英坩埚底部通氯气，保温1‑4小时；下降石英坩埚，使得石英坩埚中的高纯硅熔融液从下向上逐渐定向凝固提纯得到高纯硅锭；待石英坩埚冷却，取出石英坩埚，并将高纯硅锭的顶部和与石英坩埚粘黏的部分切除；所述石英坩埚包括坩埚本体和设置在坩埚本体内侧壁上的凹凸部。本发明具有金属硅中杂质扩散去除充分，提纯效果好等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 石英坩埚 金属硅 高纯硅锭 深度除杂 杂质扩散 坩埚本体 去除 精炼 保护性气体 真空熔炼炉 氯气 定向凝固 精炼过程 提纯效果 凹凸部 抽真空 高纯硅 内侧壁 熔融液 熔炼 提纯 粘黏 保温 加热 冷却 切除 取出 | ||
【主权项】：
1.金属硅精炼深度除杂方法，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤一：将金属硅置于石英坩埚中，并采用真空熔炼炉进行加热并抽真空；/n步骤二：注入保护性气体；/n步骤三：熔炼温度上升到1450℃-1750℃时，石英坩埚底部通氯气，保温1-4小时；/n步骤四：下降石英坩埚，使得石英坩埚中的高纯硅熔融液从下向上逐渐定向凝固提纯得到高纯硅锭；/n步骤五：待石英坩埚冷却，取出石英坩埚，并将高纯硅锭的顶部和与石英坩埚粘黏的部分切除；/n所述石英坩埚包括设置在内侧壁上的凹凸部，所述凹凸部为锯齿状。/n
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