[发明专利]晶圆翘曲调整结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201810796284.8 | 申请日： | 2018-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN108649021A | 公开（公告）日： | 2018-10-12 |
| 发明（设计）人： | 宋海;王秉国;刘松 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 董琳 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种晶圆翘曲调整结构及其形成方法，所述晶圆翘曲调整结构包括：晶圆，所述晶圆包括相对的正面和背面，所述正面用于形成半导体器件；位于所述晶圆背面的刻蚀结构；填充所述刻蚀结构的应力层。所述晶圆翘曲结构的应力层形成于刻蚀结构中，有利于提高应力作用效果，以利于调整晶圆的翘曲状态。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 调整结构 晶圆翘曲 刻蚀结构 应力层 翘曲 半导体器件 应力作用 种晶 填充 背面 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆翘曲调整结构，其特征在于，包括：晶圆，所述晶圆包括相对的正面和背面，所述正面用于形成半导体器件；位于所述晶圆背面的刻蚀结构；填充所述刻蚀结构的应力层。
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