[发明专利]功率整流器件有效
| 申请号： | 201810797114.1 | 申请日： | 2013-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN108807168B | 公开（公告）日： | 2023-04-11 |
| 发明（设计）人： | 安德烈·康斯坦丁诺夫 | 申请（专利权）人： | 飞兆半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;H01L21/3065;H01L29/06;H01L29/16;H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 徐川;姚开丽 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种功率整流器件，包括：包括n‑型导电性的碳化硅的漂移层；设置在所述漂移层上的肖特基电极，所述肖特基电极和所述漂移层的表面提供肖特基接触。所述功率整理器件还可以包括设置在所述肖特基电极下面的p‑型区域阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 整流 器件 | ||
【主权项】：
1.一种功率整流器件，包括：包括n‑型导电性的碳化硅的漂移层；设置在所述漂移层上的肖特基电极，所述肖特基电极和所述漂移层的表面提供肖特基接触；设置在所述肖特基电极下面的p‑型耗尽阻塞阵列；分配在由结终端区所限定区域内的浪涌pn二极管阵列，所述结终端区位于所述功率整流器件的外围处；附加的p‑掺杂区域；以及设置在所述附加的p‑掺杂区域上的欧姆接触，所述肖特基电极具有位于所述欧姆接触的区域内的外围。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
