[发明专利]一种基于MOSFET测控的超级电容放电保护电路

摘要

本发明涉及一种基于MOSFET测控的超级电容放电保护电路。本发明包括过流判别电路、检测与保护一体化电路，具体包括超级电容SC1、电压比较器IC1、晶闸管VT1、MOS管VT2、电源稳压管DW1、栅极稳压管DW2、电感L1、二极管D1、电源电容C1、滤波电容C2、稳压电阻R1、上分压电阻R2、下分压电阻R3、负端电阻R4、正端电阻R5、滞环电阻R6、上拉电阻R7、栅极电阻R8、限流电阻R9、发光管LED1等。本发明电路采用一只功率MOS管既可实现电流检测与又可实现保护控制，电路简单、成本低、可靠性高、通用性好，易于产品化。

主权项

1.一种基于MOSFET测控的超级电容放电保护电路，包括过流判别电路、检测与保护一体化电路，其特征在于：过流判别电路包括超级电容SC1、电压比较器IC1、电源稳压管DW1、电源电容C1、滤波电容C2、稳压电阻R1、上分压电阻R2、下分压电阻R3、负端电阻R4、正端电阻R5、滞环电阻R6、上拉电阻R7，直流供电电压端+Us端与超级电容SC1的正端+端、稳压电阻R1的一端、电感L1的一端、二极管D1的阴极、栅极电阻R8的一端连接，超级电容SC1的负端‑端接地，稳压电阻R1的另一端与辅助电源电压端+Vcc端、上分压电阻R2的一端、电源稳压管DW1的阴极、电源电容C1的一端连接，电源稳压管DW1的阳极、电源电容C1的另一端均接地，上分压电阻R2的另一端、下分压电阻R3的一端、负端电阻R4的一端均与参考电压端+Vref端连接，下分压电阻R3的另一端接地，负端电阻R4的另一端与电压比较器IC1的负输入端IN‑端连接，上拉电阻R7的一端与辅助电源电压端+Vcc端连接，上拉电阻R7的另一端与电压比较器IC1的输出端OUT端、晶闸管VT1的门极、滞环电阻R6的一端连接，滞环电阻R6的另一端与正端电阻R5的一端、滤波电容C2的一端连接，滤波电容C2的另一端接地，电压比较器IC1的正电源端+Vcc端与辅助电源电压端+Vcc端连接，电压比较器IC1的地端GND端接地；检测与保护一体化电路包括晶闸管VT1、MOS管VT2、栅极稳压管DW2、电感L1、二极管D1、栅极电阻R8、限流电阻R9、发光管LED1，晶闸管VT1阳极与栅极电阻R8的另一端、栅极稳压管DW2的阴极、MOS管VT2的栅极G端连接，晶闸管VT1阴极、栅极稳压管DW2的阳极、MOS管VT2的源极S端均接地，MOS管VT2的漏极D端与正端电阻R5的另一端、发光管LED1的阴极、负载Load的负端‑端连接，发光管LED1的阳极与限流电阻R9的一端连接，限流电阻R9的另一端与电感L1的另一端、二极管D1的阳极、负载Load的正端+端连接。