[发明专利]半导体器件寄生电阻获取方法有效
| 申请号： | 201810799302.8 | 申请日： | 2018-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN109143015B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 李浩;杜寰 | 申请（专利权）人： | 北京顿思集成电路设计有限责任公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;张靖琳 |
| 地址： | 102600 北京市大兴区经济技术*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供半导体器件寄生电阻获取方法，所述半导体器件包括衬底、以及位于所述衬底中的源区、漏区、沟道及沟道下方的埋区，所述方法包括如下步骤：获得半导体器件的等效电路模型，其中，将源区、漏区和沟道分别等效为寄生晶体管的发射区、集电区和基区；对所述半导体器件进行TLP测试，获取电流电压曲线；根据所述电流电压曲线进行线性拟合，得到该半导体器件的寄生电阻。本发明通过对器件结构的剖析、等效电路的获取、TLP电压电流曲线的测试、击穿机理过程分析、曲线分析，得到了一种半导体器件获取寄生电阻的方法，该方法非常简洁地得到了RFLDMOS的寄生电阻，为器件的优化设计提供了指导方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 寄生 电阻 获取 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件寄生电阻获取方法，所述半导体器件包括衬底、以及位于所述衬底中的源区、漏区、沟道及沟道下方的埋区，所述方法包括如下步骤：获得半导体器件的等效电路模型，其中，将源区、漏区和沟道分别等效为寄生晶体管的发射区、集电区和基区；对所述半导体器件进行TLP测试，获取电流电压曲线；根据所述电流电压曲线进行线性拟合，得到该半导体器件的寄生电阻。
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