[发明专利]一种采用原子层沉积技术沉积氧化物薄膜的装置及方法有效
申请号: | 201810800442.2 | 申请日: | 2018-07-20 |
公开(公告)号: | CN108977796B | 公开(公告)日: | 2019-08-09 |
发明(设计)人: | 丁星伟;李春亚;魏斌 | 申请(专利权)人: | 上海大学 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/40 |
代理公司: | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人: | 王戈 |
地址: | 200000*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种采用原子层沉积技术沉积氧化物薄膜的装置及方法,该方法包括:控制第三电磁阀导通,控制第一电磁阀导通第一预设时长后关闭;控制第一电磁阀关闭第二预设时长后导通;控制第一电磁阀导通第一预设时长后关闭;控制第一电磁阀关闭第二预设时长后,导通第二电磁阀;控制第二电磁阀导通第三预设时长后关闭;控制第二电磁阀关闭第二预设时长后导通;控制第二电磁阀导通第三预设时长后关闭,从而完成一层氧化物的制备,循环多次一层氧化物的制备过程得到氧化物薄膜。本发明的沉积氧化物薄膜的方法,通过将第一先驱物连续通入沉积氧化物薄膜的装置两次,并采用氮气吹扫后,再连续通入两次第二先驱物,降低了沉积的氧化物薄膜的针孔率。 | ||
搜索关键词: | 预设时长 导通 电磁阀 沉积氧化物 第一电磁阀 薄膜 原子层沉积技术 氧化物薄膜 先驱物 氧化物 后导 氮气吹扫 制备过程 针孔率 沉积 制备 | ||
【主权项】:
1.一种采用原子层沉积技术沉积氧化物薄膜的装置,其特征在于,包括:外壳、内腔体、基板固定座、真空泵、流量计、第一电磁阀、第二电磁阀、第三电磁阀、第一容器、第二容器和第三容器;所述内腔体设置于所述外壳的内部,所述基板固定座设置于所述内腔体的中部;所述真空泵的抽气孔与第一管的一端连接,所述第一管的另一端插入所述内腔体中;所述第一容器用于存放第一先驱物,所述第一电磁阀的一端与所述第一容器的排气口连接,所述第一电磁阀的另一端与第二管的一端连接,所述第二管的另一端插入所述内腔体中;所述第二容器用于存放第二先驱物,所述第二电磁阀的一端与所述第二容器的排气口连接,所述第二电磁阀的另一端与第三管的一端连接,所述第三管的另一端插入所述内腔体中;所述第三容器用于存放氮气,所述第三电磁阀的一端通过所述流量计与所述第三容器的排气口连接,所述第三电磁阀的另一端与第四管的一端连接,所述第四管的另一端插入所述内腔体中;所述第一电磁阀、第二电磁阀和第三电磁阀通过定时器或计时器与计算机或工控机连接,使用定时器或计时器获取第一电磁阀、第二电磁阀和第三电磁阀的开启时间和关闭时间,从而令计算机或工控机根据计时器或定时器记录的时间及第一预设时长、第二预设时长、第三预设时长控制第一电磁阀、第二电磁阀和第三电磁阀的开启和关闭,具体的,控制第一电磁阀和第三电磁阀导通,控制第一电磁阀导通第一预设时长后关闭;控制第一电磁阀关闭第二预设时长后导通;控制第一电磁阀导通第一预设时长后关闭;控制第一电磁阀关闭第二预设时长后,导通第二电磁阀;控制第二电磁阀导通第三预设时长后关闭;控制第二电磁阀关闭第二预设时长后导通;控制第二电磁阀导通第三预设时长后关闭,从而完成一层氧化物的制备,循环多次一层氧化物的制备过程得到氧化物薄膜,通过将第一先驱物连续通入沉积氧化物薄膜的装置两次,并采用氮气吹扫后,再连续通入两次第二先驱物,降低了沉积的氧化物薄膜的针孔率。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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