[发明专利]一种采用原子层沉积技术沉积氧化物薄膜的装置及方法有效

专利信息
申请号: 201810800442.2 申请日: 2018-07-20
公开(公告)号: CN108977796B 公开(公告)日: 2019-08-09
发明(设计)人: 丁星伟;李春亚;魏斌 申请(专利权)人: 上海大学
主分类号: C23C16/455 分类号: C23C16/455;C23C16/40
代理公司: 北京高沃律师事务所 11569 代理人: 王戈
地址: 200000*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种采用原子层沉积技术沉积氧化物薄膜的装置及方法,该方法包括:控制第三电磁阀导通,控制第一电磁阀导通第一预设时长后关闭;控制第一电磁阀关闭第二预设时长后导通;控制第一电磁阀导通第一预设时长后关闭;控制第一电磁阀关闭第二预设时长后,导通第二电磁阀;控制第二电磁阀导通第三预设时长后关闭;控制第二电磁阀关闭第二预设时长后导通;控制第二电磁阀导通第三预设时长后关闭,从而完成一层氧化物的制备,循环多次一层氧化物的制备过程得到氧化物薄膜。本发明的沉积氧化物薄膜的方法,通过将第一先驱物连续通入沉积氧化物薄膜的装置两次,并采用氮气吹扫后,再连续通入两次第二先驱物,降低了沉积的氧化物薄膜的针孔率。
搜索关键词: 预设时长 导通 电磁阀 沉积氧化物 第一电磁阀 薄膜 原子层沉积技术 氧化物薄膜 先驱物 氧化物 后导 氮气吹扫 制备过程 针孔率 沉积 制备
【主权项】:
1.一种采用原子层沉积技术沉积氧化物薄膜的装置,其特征在于,包括:外壳、内腔体、基板固定座、真空泵、流量计、第一电磁阀、第二电磁阀、第三电磁阀、第一容器、第二容器和第三容器;所述内腔体设置于所述外壳的内部,所述基板固定座设置于所述内腔体的中部;所述真空泵的抽气孔与第一管的一端连接,所述第一管的另一端插入所述内腔体中;所述第一容器用于存放第一先驱物,所述第一电磁阀的一端与所述第一容器的排气口连接,所述第一电磁阀的另一端与第二管的一端连接,所述第二管的另一端插入所述内腔体中;所述第二容器用于存放第二先驱物,所述第二电磁阀的一端与所述第二容器的排气口连接,所述第二电磁阀的另一端与第三管的一端连接,所述第三管的另一端插入所述内腔体中;所述第三容器用于存放氮气,所述第三电磁阀的一端通过所述流量计与所述第三容器的排气口连接,所述第三电磁阀的另一端与第四管的一端连接,所述第四管的另一端插入所述内腔体中;所述第一电磁阀、第二电磁阀和第三电磁阀通过定时器或计时器与计算机或工控机连接,使用定时器或计时器获取第一电磁阀、第二电磁阀和第三电磁阀的开启时间和关闭时间,从而令计算机或工控机根据计时器或定时器记录的时间及第一预设时长、第二预设时长、第三预设时长控制第一电磁阀、第二电磁阀和第三电磁阀的开启和关闭,具体的,控制第一电磁阀和第三电磁阀导通,控制第一电磁阀导通第一预设时长后关闭;控制第一电磁阀关闭第二预设时长后导通;控制第一电磁阀导通第一预设时长后关闭;控制第一电磁阀关闭第二预设时长后,导通第二电磁阀;控制第二电磁阀导通第三预设时长后关闭;控制第二电磁阀关闭第二预设时长后导通;控制第二电磁阀导通第三预设时长后关闭,从而完成一层氧化物的制备,循环多次一层氧化物的制备过程得到氧化物薄膜,通过将第一先驱物连续通入沉积氧化物薄膜的装置两次,并采用氮气吹扫后,再连续通入两次第二先驱物,降低了沉积的氧化物薄膜的针孔率。
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