[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201810800618.4 | 申请日： | 2018-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN109003901B | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 陈宏;曹子贵;王卉 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 屈蘅<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括：提供一前端结构，所述前端结构包括衬底，位于所述衬底上的字线，位于所述衬底上且分列于所述字线两侧的控制栅，位于所述控制栅上的字线侧墙，所述字线侧墙暴露出部分所述控制栅；以所述字线侧墙为掩膜刻蚀所述控制栅；以及在暴露出的所述控制栅的侧壁形成一保护层。本发明提供的通过在暴露出的控制栅的侧壁形成一保护层，及时将控制栅暴露在空气中的部分保护起来。避免了控制栅的侧壁因长时间暴露在空气中而与控制栅刻蚀后产生化学物质发生反应，破坏控制栅结构，进而解决了半导体器件擦除失败以及测试失败的问题，提高了半导体器件的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 控制栅 半导体器件 字线侧墙 暴露 侧壁 衬底 前端结构 保护层 刻蚀 字线 控制栅结构 化学物质 擦除 分列 失败 掩膜 制造 测试 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：/n提供一前端结构，所述前端结构包括衬底，位于所述衬底上的字线，分列于所述字线两侧的介电层，位于所述衬底上且分列于所述字线两侧的控制栅，所述控制栅位于所述介电层上，位于所述控制栅上的字线侧墙，所述字线侧墙暴露出部分所述控制栅，其中，所述介电层为ONO叠层；/n以所述字线侧墙为掩膜刻蚀所述控制栅；/n刻蚀所述介电层，并保留所述介电层的一部分；以及/n在刻蚀完所述ONO叠层中的氮化硅层后，在暴露出的所述控制栅的侧壁形成一保护层。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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