[发明专利]一种描述高压场效应管低频噪声的交流子电路模型有效
| 申请号： | 201810800641.3 | 申请日： | 2018-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN109033608B | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 王正楠 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/36 | 分类号： | G06F30/36 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种描述高压场效应管低频噪声的交流子电路模型，所述交流子电路模型在现有的AC噪声小信号子电路模型的基础上，将漂移区电阻Rd拆分为LOV和LFO区域两段电阻ROV、RFO，并分别添加了LOV段噪声源Sid_ROV、LFO段噪声源Sid_RFO，本发明可在LDMOS管线性区体现一定漂移区噪声贡献，又能在漏源电压Vds增大的情况下反映正常的噪声变化物理趋势。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 描述 高压 场效应 低频 噪声 交流 电路 模型 | ||
【主权项】：
1.一种描述高压场效应管低频噪声的交流子电路模型，其特征在于：所述交流子电路模型在现有的AC噪声小信号子电路模型的基础上，将漂移区电阻Rd拆分为LOV和LFO区域两段电阻ROV、RFO，并分别添加了LOV段噪声源Sid_ROV、LFO段噪声源Sid_RFO。
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