[发明专利]一种浅沟槽隔离结构的形成方法及浅沟槽隔离结构

摘要

本发明提供了一种浅沟槽结构的形成方法以及浅沟槽隔离结构，通过在浅沟槽内表面上形成的氧化层上面覆盖一层富硅氧化物层，而后再采用旋涂介电层(SOD)工艺在所述富硅氧化物层上形成聚硅氮烷(PSZ)层来对隔离沟槽进行填充。与现有技术相比，由于在所述氧化层上覆盖了一层富硅氧化物层，对所述PSZ层进行热处理时生成的氨气会提前与所述富硅氧化物层中的硅发生反应，进而避免了氨气进一步穿过氧化层侵害有源区，减弱了氨气对器件电学性能的影响。进一步地，所述富硅氧化物层中的硅与氨气以及水反应产生的二氧化硅以及氮化硅会使得所述PSZ层发生体积膨胀，一定程度上弥补了所述PSZ层收缩带来的负面影响。

主权项

1.一种浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述浅沟槽隔离结构的形成方法包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底包括多个有源区；在所述半导体衬底上形成隔离沟槽，所述隔离沟槽位于相邻的两个所述有源区之间；在所述隔离沟槽中形成氧化层，所述氧化层覆盖所述隔离沟槽的内表面；在所述隔离沟槽中形成富硅氧化物层，所述富硅氧化物层覆盖所述氧化层；采用旋涂介电层工艺，在所述隔离沟槽中形成聚硅氮烷层，所述聚硅氮烷层覆盖所述富硅氧化物层且填充所述隔离沟槽；所述富硅氧化物层用于阻挡所述旋涂介电层工艺的副产物氨气侵害有源区。