[发明专利]一种改善双重图形刻蚀芯模顶端圆角的工艺方法

摘要

本发明提出了一种改善38nm及以下工艺节点中SADP工艺中芯模顶端圆角形貌的工艺方法。通过选择生长两层刻蚀选择比较大的芯模膜质，在第一次芯模细化工艺时，顶端的膜质不刻蚀或者少刻蚀，利用湿法刻蚀的各向同性特征，使芯模下层膜形成顶部大底部小的形貌。在去除芯模顶部膜层后，在第二次芯模细化工艺时，再次利用湿法刻蚀的各向同性特征，最终形成侧壁垂直于表面的芯模形貌，有利于后续侧墙和刻蚀工艺的作业，极大的改善了后续的双重图形刻蚀工艺窗口。

主权项

1.一种改善双重图形刻蚀芯模顶端圆角的工艺方法，其特征在于，包括下列步骤：在半导体衬底上形成芯模层，其包括第一芯模层和第二芯模层；进行第一次芯模层细化处理；去除所述第二芯模层；进行第二次芯模层细化处理，使得第一芯模层顶部形貌在各向同性刻蚀作用下，保持垂直形貌；进行后续的侧墙工艺和芯模去除工艺。