[发明专利]3D管道形成方法有效
| 申请号： | 201810800783.X | 申请日： | 2018-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN108975267B | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 黎坡 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种3D管道形成方法，在第一介质层中制作第一凹槽；在所述第一凹槽的底壁和侧壁上形成第一金属层，获得第一空腔；在所述第一介质层上形成第二金属层，覆盖所述第一空腔；刻蚀所述第一空腔顶部的所述第二金属层，形成第二空腔并露出所述第一空腔；在所述第二金属层上形成第二介质层；以及在所述第二介质层中制作第二凹槽，所述第二凹槽与所述第二空腔连通。通过形成第一空腔和第二空腔，所述第二凹槽与所述第二空腔连通，进而所述第二凹槽通过第二空腔与第一空腔连通。最后使得相邻两金属层中的金属管道连通，形成3D金属管道，从而增加了管道总长度，能够实现更多的功能。 | ||
| 搜索关键词： | 管道 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种3D管道形成方法，其特征在于，包括，在第一介质层中制作第一凹槽；在所述第一凹槽的底壁和侧壁上形成第一金属层，获得第一空腔；在所述第一介质层上形成第二金属层，覆盖所述第一空腔；刻蚀所述第一空腔顶部的所述第二金属层，形成第二空腔并露出所述第一空腔；在所述第二金属层上形成第二介质层；以及在所述第二介质层中制作第二凹槽，所述第二凹槽与所述第二空腔连通。
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