[发明专利]增强硅探测器近红外响应的微光栅光腔结构及其制造方法

摘要

本发明属于光电技术领域，具体为增强硅探测器近红外响应的微光栅光腔结构及其制造方法。微光栅光腔制作过程集成在硅探测器制作工艺中，与其制作工艺兼容。方法包括对硅探测器圆片进行预处理，在探测器圆片背面形成铬光栅；将铬光栅转移到硅衬底上，在硅衬底上形成周期为微米量级硅光栅微结构；在硅光栅微结构表面大剂量注入与硅衬底同类型的杂质；并在其表面淀积硼磷硅玻璃，形成光腔介质层薄膜；采用高温，快速退火的方式，对硼磷硅玻璃进行回流，平坦化；在所述光腔介质层薄膜表面溅射一层的铝膜，形成铝反射镜；构成微光栅光腔结构。本发明为硅探测器的背反射结构，将入射光子束缚在硅探测器内，延长其传播路径，显著提高硅探测器的吸收效率。

主权项

1.一种增强硅探测器近红外响应的微光栅光腔结构的制造方法，其特征在于，包括：S1、对硅探测器圆片进行预处理，在硅探测器圆片背面形成铬光栅；S2、将铬光栅转移到硅衬底上，从而在硅衬底上形成周期为微米量级硅光栅微结构；S3、在所述硅光栅微结构的表面大剂量注入与硅衬底同类型的杂质；S4、在硅光栅微结构表面淀积硼磷硅玻璃，形成光腔介质层薄膜；S5、采用高温，快速退火的方式，对硼磷硅玻璃进行回流，平坦化；S6、在所述光腔介质层薄膜表面溅射一层的铝膜，形成铝反射镜，采用温度为400℃～440℃、时间为25分钟～35分钟的氢气退火；从而构成微光栅光腔结构。