[发明专利]增强硅探测器近红外响应的微光栅光腔结构及其制造方法有效
申请号: | 201810801341.7 | 申请日: | 2018-07-20 |
公开(公告)号: | CN109052312B | 公开(公告)日: | 2020-08-18 |
发明(设计)人: | 李华高;郭培 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00;B81B7/02 |
代理公司: | 重庆辉腾律师事务所 50215 | 代理人: | 王海军 |
地址: | 400060 *** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | 本发明属于光电技术领域,具体为增强硅探测器近红外响应的微光栅光腔结构及其制造方法。微光栅光腔制作过程集成在硅探测器制作工艺中,与其制作工艺兼容。方法包括对硅探测器圆片进行预处理,在探测器圆片背面形成铬光栅;将铬光栅转移到硅衬底上,在硅衬底上形成周期为微米量级硅光栅微结构;在硅光栅微结构表面大剂量注入与硅衬底同类型的杂质;并在其表面淀积硼磷硅玻璃,形成光腔介质层薄膜;采用高温,快速退火的方式,对硼磷硅玻璃进行回流,平坦化;在所述光腔介质层薄膜表面溅射一层的铝膜,形成铝反射镜;构成微光栅光腔结构。本发明为硅探测器的背反射结构,将入射光子束缚在硅探测器内,延长其传播路径,显著提高硅探测器的吸收效率。 | ||
搜索关键词: | 增强 探测器 红外 响应 微光 栅光腔 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种增强硅探测器近红外响应的微光栅光腔结构的制造方法,其特征在于,包括:S1、对硅探测器圆片进行预处理,在硅探测器圆片背面形成铬光栅;S2、将铬光栅转移到硅衬底上,从而在硅衬底上形成周期为微米量级硅光栅微结构;S3、在所述硅光栅微结构的表面大剂量注入与硅衬底同类型的杂质;S4、在硅光栅微结构表面淀积硼磷硅玻璃,形成光腔介质层薄膜;S5、采用高温,快速退火的方式,对硼磷硅玻璃进行回流,平坦化;S6、在所述光腔介质层薄膜表面溅射一层的铝膜,形成铝反射镜,采用温度为400℃~440℃、时间为25分钟~35分钟的氢气退火;从而构成微光栅光腔结构。
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