[发明专利]增强硅探测器近红外响应的微光栅光腔结构及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201810801341.7 申请日: 2018-07-20
公开(公告)号: CN109052312B 公开(公告)日: 2020-08-18
发明(设计)人: 李华高;郭培 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第四十四研究所
主分类号: B81C1/00 分类号: B81C1/00;B81B7/02
代理公司: 重庆辉腾律师事务所 50215 代理人: 王海军
地址: 400060 *** 国省代码: 重庆;50
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摘要: 发明属于光电技术领域,具体为增强硅探测器近红外响应的微光栅光腔结构及其制造方法。微光栅光腔制作过程集成在硅探测器制作工艺中,与其制作工艺兼容。方法包括对硅探测器圆片进行预处理,在探测器圆片背面形成铬光栅;将铬光栅转移到硅衬底上,在硅衬底上形成周期为微米量级硅光栅微结构;在硅光栅微结构表面大剂量注入与硅衬底同类型的杂质;并在其表面淀积硼磷硅玻璃,形成光腔介质层薄膜;采用高温,快速退火的方式,对硼磷硅玻璃进行回流,平坦化;在所述光腔介质层薄膜表面溅射一层的铝膜,形成铝反射镜;构成微光栅光腔结构。本发明为硅探测器的背反射结构,将入射光子束缚在硅探测器内,延长其传播路径,显著提高硅探测器的吸收效率。
搜索关键词: 增强 探测器 红外 响应 微光 栅光腔 结构 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种增强硅探测器近红外响应的微光栅光腔结构的制造方法,其特征在于,包括:S1、对硅探测器圆片进行预处理,在硅探测器圆片背面形成铬光栅;S2、将铬光栅转移到硅衬底上,从而在硅衬底上形成周期为微米量级硅光栅微结构;S3、在所述硅光栅微结构的表面大剂量注入与硅衬底同类型的杂质;S4、在硅光栅微结构表面淀积硼磷硅玻璃,形成光腔介质层薄膜;S5、采用高温,快速退火的方式,对硼磷硅玻璃进行回流,平坦化;S6、在所述光腔介质层薄膜表面溅射一层的铝膜,形成铝反射镜,采用温度为400℃~440℃、时间为25分钟~35分钟的氢气退火;从而构成微光栅光腔结构。
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