[发明专利]基于ScAlN/AlGaN超晶格p型层的高效发光二极管及制备方法有效
| 申请号： | 201810801746.0 | 申请日： | 2018-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN108899403B | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | 许晟瑞;范晓萌;王学炜;郝跃;张进成;李培咸;马晓华;毕臻;周小伟 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种基于ScAlN/AlGaN超晶格p型层的高效发光二极管及其制备方法，主要解决现有p型层中掺杂的Mg的离化率低，导致二极管发光效率不高的问题。其自下而上包括：c面蓝宝石衬底层、高温AlN成核层、n型GaN层、In |
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| 搜索关键词： | 基于 scaln algan 晶格 高效 发光二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于ScAlN/AlGaN超晶格p型层的高效发光二极管，自下而上包括：c面蓝宝石衬底层(1)、高温AlN成核层(2)、n型GaN层(3)、InxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱层(4)、AlzGa1‑zN电子阻挡层(5)、p型层(6)和电极(7)，其特征在于：p型层(6)采用ScAlN/AlGaN超晶格结构，以增大p型层中掺杂的Mg的离化率，提高发光二极管的发光效率。
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