[发明专利]用于磁隧道结器件的磁性结构、磁隧道结器件和磁性随机存取存储器在审
申请号: | 201810802351.2 | 申请日: | 2018-07-20 |
公开(公告)号: | CN109524540A | 公开(公告)日: | 2019-03-26 |
发明(设计)人: | J·斯韦茨 | 申请(专利权)人: | IMEC非营利协会 |
主分类号: | H01L43/08 | 分类号: | H01L43/08;H01L43/10;G11C11/16 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 乐洪咏;沙永生 |
地址: | 比利*** | 国省代码: | 比利时;BE |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明构思提供了用于磁隧道结(MTJ)器件的磁性结构、磁隧道结器件和磁性随机存取存储器,其中所述磁性结构包含:自由层,隧道势垒层,参考层,硬磁层,以及设置在硬磁层与参考层之间的中间层堆叠体,该中间层堆叠体包含第一铁磁亚层、第二铁磁亚层和非磁性隔片亚层,其中非磁性隔片亚层设置在第一铁磁亚层与第二铁磁亚层之间并与它们接触,该非磁性隔片亚层适合提供第一铁磁亚层的磁化和第二铁磁亚层的磁化的铁磁耦合,其中参考层的磁化方向通过硬磁层和中间层堆叠体固定。本发明构思通过引入中间层堆叠体实现了用于MTJ器件的热稳健磁性结构。 | ||
搜索关键词: | 亚层 铁磁 磁性结构 堆叠体 中间层 磁隧道结器件 参考层 非磁性 硬磁层 隔片 磁性随机存取存储器 磁化 发明构思 隧道势垒层 磁化方向 磁隧道结 铁磁耦合 自由层 引入 | ||
【主权项】:
1.一种用于磁隧道结器件的磁性结构(112,212),所述磁性结构包含:自由层(120),隧道势垒层(122),参考层(124),硬磁层(136),以及设置在硬磁层(136)与参考层(124)之间的中间层堆叠体(128),所述中间层堆叠体包含第一铁磁亚层(130)、第二铁磁亚层(134)和非磁性隔片亚层(132),其中非磁性隔片亚层(132)设置在第一铁磁亚层(130)与第二铁磁亚层(134)之间并与它们接触,适合提供第一铁磁亚层(130)的磁化与第二铁磁亚层(134)的磁化的铁磁耦合,其中参考层(124)的磁化方向通过硬磁层(136)和中间层堆叠体(128)固定。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于IMEC非营利协会,未经IMEC非营利协会许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810802351.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:磁阻效应元件及磁阻效应元件的制造方法
- 下一篇:数据存储器件及其制造方法