[发明专利]半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201810802979.2 | 申请日： | 2018-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN109037329A | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 刘美华;林信南;刘岩军 | 申请（专利权）人： | 深圳市晶相技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 深圳精智联合知识产权代理有限公司 44393 | 代理人： | 夏声平 |
| 地址： | 518052 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，提供一种半导体器件及其制作方法。所述半导体器件包括：第一介质层；第二介质层延伸至第一栅极接触孔内以覆盖所述第一栅极接触孔的底部；第一栅极金属层延伸至所述第一栅极接触孔内以覆盖位于所述第一栅极接触孔底部的所述第二介质层；第三介质层延伸至第二栅极接触孔内以覆盖所述第二栅极接触孔的底部；第二栅极金属层延伸至所述第二栅极接触孔内以覆盖位于所述第二栅极接触孔底部的所述第三介质层；第一源/漏极；第二源/漏极；栅极。本发明的双栅极金属结构的半导体器件，可以获得更好的器件开关特性。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极接触孔 介质层 半导体器件 栅极金属层 延伸 源/漏极 覆盖 半导体技术领域 金属结构 器件开关 双栅极 制作 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体基板；第一介质层，设置于所述半导体基板上；第二介质层，设置于所述第一介质层上、且延伸至第一栅极接触孔内以覆盖所述第一栅极接触孔的底部，所述第一栅极接触孔贯穿所述第一介质层且伸入所述半导体基板内部；第一栅极金属层，设置于所述第二介质层上、且延伸至所述第一栅极接触孔内以覆盖位于所述第一栅极接触孔底部的所述第二介质层；第三介质层，设置于所述第一栅极金属层上、且延伸至第二栅极接触孔内以覆盖所述第二栅极接触孔的底部，所述第二栅极接触孔依次贯穿所述第一栅极金属层、所述第二介质层和所述第一介质层且伸入所述半导体基板内部；第二栅极金属层，设置于所述第三介质层上、且延伸至所述第二栅极接触孔内以覆盖位于所述第二栅极接触孔底部的所述第三介质层；第一源/漏极，设置于所述第二栅极金属层上、且填充第一源/漏极接触孔，所述第一源/漏极接触孔依次贯穿所述第二栅极金属层、所述第三介质层、所述第一栅极金属层、所述第二介质层和所述第一介质层；第二源/漏极，设置于所述第一栅极金属层上、且填充第二源/漏极接触孔，所述第二源/漏极接触孔依次贯穿所述第一栅极金属层、所述第二介质层和所述第一介质层；以及栅极，设置于所述第一栅极金属层和所述第二栅极金属层上、且填充所述第一栅极接触孔和所述第二栅极接触孔。
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