[发明专利]半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201810803203.2 | 申请日： | 2018-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN109037330A | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 刘美华;林信南;刘岩军 | 申请（专利权）人： | 深圳市晶相技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 深圳精智联合知识产权代理有限公司 44393 | 代理人： | 夏声平 |
| 地址： | 518052 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，提供一种半导体器件及其制作方法。所述半导体器件包括：半导体基板，内部形成有二维电子气沟道；源极和漏极，设置在所述半导体基板上、且底部分别与所述半导体基板相连接；栅极，设置在所述半导体基板上、且底部通过一个多层结构与所述半导体基板相连接，其中，所述多层结构包括并排设置的第一区域和第二区域，所述第一区域的宽度等于所述第二区域的宽度，所述第一区域的掺杂浓度与所述第二区域的掺杂浓度不同。本发明的半导体器件，可以获得更好的器件开关特性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体基板 半导体器件 第二区域 第一区域 多层结构 掺杂 半导体技术领域 二维电子气沟道 并排设置 器件开关 漏极 源极 制作 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体基板，内部形成有二维电子气沟道；源极和漏极，设置在所述半导体基板上、且分别与所述半导体基板相连接；栅极，设置在所述半导体基板上、且通过一个多层结构与所述半导体基板相连接，其中，所述多层结构包括并排设置的第一区域和第二区域，所述第一区域的宽度等于所述第二区域的宽度，所述第一区域的掺杂浓度与所述第二区域的掺杂浓度不同。
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