[发明专利]一种二维柔性磁存储阵列及其制备方法

摘要

本发明公开了一种二维柔性磁存储阵列及其制备方法，其采用三明治结构，设计合理，通过精确控制生长源的温度、比例、生长时间来生长空位掺杂的III‑VI族硫属化物层以达到电学调控的可实现性，从而实现各磁存储单元器件及二维柔性磁存储阵列的存储与记录功能，其磁矩调控范围为0～1μB，可在在液氮低温到室温，空气环境或真空环境中使用，磁存储功能稳定，结合柔性基底，应用范围广泛，适用性强。

主权项

1.一种二维柔性磁存储阵列，其特征在于：包括柔性基底和若干磁存储单元器件，所述磁存储单元器件阵列排布于柔性基底上；所述磁存储单元器件包括自下而上依次层叠设置的第一导电电极、三明治结构和第二导电电极；所述三明治结构自下而上依次为第一BN层/空位掺杂的III‑VI族硫属化物层/第二BN层，所述III‑VI族硫属化物的化学式为MX，其中M为Ga、In中的至少一种，X为S、Se中的至少一种，所述空位为III‑VI族硫属化物中的M原子缺陷；所述磁存储单元器件通过第一导电电极和第二导电电极施加的垂直电场，调节所述空位掺杂的III‑VI族硫属化物层的磁性质在非磁和铁磁半金属性之间转变，实现磁存储功能，所述磁存储单元器件的磁矩调控范围为0～1μB。