[发明专利]在绝缘衬底上直接制备石墨烯量子点阵列的方法有效
| 申请号： | 201810803257.9 | 申请日： | 2018-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN109055895B | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | 狄增峰;郑鹏荣;董林玺;薛忠营 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | C23C14/18 | 分类号： | C23C14/18;C23C14/30;C23C14/35;C23C14/48;C23C14/58;C23C16/26;C23C28/00 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人： | 宋缨 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种在绝缘衬底上直接制备石墨烯量子点阵列的方法，所述制备方法包括：提供一GOI结构，所述GOI结构包括绝缘衬底，和形成于所述绝缘衬底上的锗层；对所述GOI结构进行退火处理，以于所述绝缘衬底上形成锗量子点阵列；于所述锗量子点阵列上形成石墨烯量子点阵列，其中，所述石墨烯量子点阵列中各石墨烯量子点与所述锗量子点阵列中各锗量子点一一对应，且所述石墨烯量子点包裹所述锗量子点；以及对上一步骤所得结构中的所述锗量子点阵列进行氧化挥发处理，以去除所述锗量子点阵列，实现在所述绝缘衬底上直接制备所述石墨烯量子点阵列。通过本发明解决了现有无法制备出排列有序的石墨烯量子点阵列的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 衬底 直接 制备 石墨 量子 阵列 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在绝缘衬底上直接制备石墨烯量子点阵列的方法，其特征在于，所述制备方法包括：步骤1)提供一GOI结构，所述GOI结构包括绝缘衬底，和形成于所述绝缘衬底上的锗层；步骤2)对所述GOI结构进行退火处理，以于所述绝缘衬底上形成锗量子点阵列；步骤3)于所述锗量子点阵列上形成石墨烯量子点阵列，其中，所述石墨烯量子点阵列中各石墨烯量子点与所述锗量子点阵列中各锗量子点一一对应，且所述石墨烯量子点包裹所述锗量子点；以及步骤4)对步骤3)所得结构中的所述锗量子点阵列进行氧化挥发处理，以去除所述锗量子点阵列，实现在所述绝缘衬底上直接制备所述石墨烯量子点阵列。
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