[发明专利]半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201810803338.9 | 申请日： | 2018-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN109103104A | 公开（公告）日： | 2018-12-28 |
| 发明（设计）人： | 刘美华;林信南;刘岩军 | 申请（专利权）人： | 深圳市晶相技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/778 |
| 代理公司： | 深圳精智联合知识产权代理有限公司 44393 | 代理人： | 夏声平 |
| 地址： | 518052 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，提供一种半导体器件及其制作方法。所述半导体器件包括：半导体基板；设置于所述半导体基板上的第一介质层和第二介质层；设置于所述第二介质层上的栅极金属层；以及设置于所述栅极金属层上的源极、漏极和栅极；其中，所述源极和所述漏极均贯穿所述栅极金属层和所述介质层以分别与所述半导体基板连接；所述栅极伸入所述半导体基板、且包括相互连接的第一栅部和第二栅部，所述第一栅部的底部通过所述栅极金属层与所述半导体基板连接，所述第二栅部的底部通过所述栅极属层和所述第二介质层与所述半导体基板连接。本发明的半导体器件可以获得更好的器件特性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体基板 介质层 半导体器件 栅极金属层 栅部 漏极 源极 半导体技术领域 器件特性 伸入 属层 制作 贯穿 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体基板；设置于所述半导体基板上的介质层，所述介质层包括依次设置的第一介质层和第二介质层；设置于所述第二介质层上的栅极金属层；以及设置于所述栅极金属层上的源极、漏极和栅极；其中，所述源极和所述漏极均贯穿所述栅极金属层和所述介质层，以使所述源极的底部和所述漏极的底部分别与所述半导体基板连接；所述栅极伸入所述半导体基板、且包括相互连接的第一栅部和第二栅部，所述第一栅部的底部通过所述栅极金属层与所述半导体基板连接，所述第二栅部的底部通过所述栅极属层和所述第二介质层与所述半导体基板连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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