[发明专利]用于制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201810803369.4 | 申请日： | 2018-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN109285792B | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | H.胡贝尔;M.克纳布尔;M.米希茨;C.斯贾罗韦洛;C.特拉万;A.C.G.伍德 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L23/525 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;申屠伟进 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了用于制造半导体器件的方法。根据一种在晶圆上制造多个半导体器件的方法的实施例，该方法包括形成包括多个相同半导体器件结构的结构层；以及在该结构层上提供保护层。在多个半导体器件结构中的第一半导体器件结构上的保护层不同于在多个半导体器件结构中的第二半导体器件结构上的保护层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在晶圆上制造多个半导体器件的方法，该方法包括：形成包括多个相同半导体器件结构的结构层；以及在该结构层上提供保护层，其中在多个半导体器件结构中的第一半导体器件结构上的保护层不同于在多个半导体器件结构中的第二半导体器件结构上的保护层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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