[发明专利]像素界定结构及其制备方法、OLED器件在审
申请号: | 201810803400.4 | 申请日: | 2018-07-20 |
公开(公告)号: | CN109148516A | 公开(公告)日: | 2019-01-04 |
发明(设计)人: | 周凯锋 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 孙伟峰 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种像素界定结构及其制备方法、OLED器件,所述制备方法包括:提供一基板;通过构图工艺在基板上形成像素界定薄膜;对像素界定薄膜的顶部进行表面处理,形成具有亲水性的第一像素界定层和具有疏水性的第二像素界定层。本发明提出的像素界定结构的制备方法制备得到的像素界定薄膜的第一像素界定层具有亲水性,第二像素界定层具有疏水性,使得第一像素界定层与有机发光材料墨水的接触角较小、第二像素界定层与有机发光材料墨水的接触角较大,从而能够减少咖啡环效应,形成膜厚均匀的有机电致发光薄膜,同时由于第二像素界定层具有疏水性,能够避免不同的有机发光材料墨水流入相邻的像素区而造成混色,改善OLED器件的性能。 | ||
搜索关键词: | 像素界定层 界定 像素 制备 有机发光材料 疏水性 薄膜 墨水 接触角 亲水性 基板 有机电致发光薄膜 咖啡环效应 构图工艺 膜厚均匀 像素区 混色 | ||
【主权项】:
1.一种像素界定结构的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括以下步骤:提供一基板;通过构图工艺在所述基板上形成像素界定薄膜,所述像素界定薄膜具有亲水性,像素区由所述像素界定薄膜限定;对所述像素界定薄膜的顶部进行表面处理,形成具有亲水性的第一像素界定层和具有疏水性的第二像素界定层,所述第一像素界定层位于所述第二像素界定层与所述基板之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的