[发明专利]生长在Si/石墨烯复合衬底上InN纳米柱外延片及其制备方法在审
| 申请号： | 201810803947.4 | 申请日： | 2018-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN108735866A | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 高芳亮;李国强;徐珍珠;余粤锋 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00;H01S5/02;H01S5/343;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 陈智英 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体器件的技术领域，公开了生长在Si/石墨烯复合衬底上InN纳米柱外延片及其制备方法。生长在Si/石墨烯复合衬底上InN纳米柱外延片，由下至上依次包括Si衬底、石墨烯层、In金属纳米微球层和InN纳米柱层。本发明还公开了生长在Si/石墨烯复合衬底上的InN纳米柱外延片的制备方法。本发明的纳米柱直径均一、高有序性，同时解决了InN因与Si之间存在较大晶格失配而在其中产生大量位错的技术难题，大大减少了InN纳米柱外延层的缺陷密度，有利提高了载流子的辐射复合效率，改善InN纳米柱外延片的性能，可大幅度提高氮化物器件如半导体激光器、发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米柱 外延片 衬底 石墨烯 复合 制备 生长 载流子 半导体激光器 辐射复合效率 半导体器件 氮化物器件 发光二极管 发光效率 技术难题 金属纳米 晶格失配 石墨烯层 外延层 微球层 均一 位错 | ||
【主权项】：
1.生长在Si/石墨烯复合衬底上InN纳米柱外延片，其特征在于：由下至上依次包括Si衬底、石墨烯层、In金属纳米微球层和InN纳米柱层。
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