[发明专利]一种晶硅太阳电池的表界面钝化层及其钝化方法

摘要

本发明公开了一种高效晶硅太阳电池的表界面钝化层及其钝化方法，属于太阳能制造技术领域。本发明在p型晶硅电池的正面设有n⁺型掺杂层，分别对n⁺型掺杂层表面和p型硅衬底的背面p型层表面进行表界面钝化。利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术，在P型硅衬底正面n⁺层表面制备四叠层结构的钝化膜；采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)和原子层沉积(ΑLD)在P型硅衬底背面p型层表面制备四叠层结构的钝化膜，本发明专利制备的叠层钝化层的结构顺序对钝化效果有着至关重要的作用，叠层之间存在相互协同作用，钝化后具有优异的减反效果，钝化效果好，在p型PERC电池中具有优异的应用前景。

主权项

1.一种晶硅太阳电池的表界面钝化层，其特征在于：所述的表界面钝化层分别设在p型晶硅电池的正面n⁺型掺杂层上和p型硅衬底的背面上，n⁺型掺杂层表面的钝化层依次为厚度2nm α‑SiOx:H/折射率2.18，厚度10nm α‑SiNx:H/折射率2.08，厚度30nm α‑SiNx:H/ 厚度110nm α‑SiOx:H四叠层结构，p型硅衬底的背面的钝化层依次为厚度2nm α‑SiOx:H /厚度15nm Αl₂O₃/ 厚度220nm α‑SiOx:H / 折射率2.08，厚度80nm α‑SiNx:H四叠层结构。