[发明专利]存储设备的驱动方法有效
| 申请号： | 201810806145.9 | 申请日： | 2018-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN110544502B | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 崔永准;权锡千 | 申请（专利权）人： | 香港商艾思科有限公司;崔永准 |
| 主分类号： | G11C16/16 | 分类号： | G11C16/16;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶;赵赫 |
| 地址： | 中国香港湾仔港湾道*** | 国省代码： | 香港;81 |
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| 摘要： | 本发明的存储设备的驱动方法包括以下步骤：在存储设备的控制器中，根据一个块内的NAND闪存单元的每个保持劣化步骤的阈值电压移位，加载由第一读取基准电压和与一个块内的每个页面组的阈值电压变动对应的第二读取基准电压组成的查找表；在控制器中，使用属于多个块内的每个块的当前劣化步骤的第一读取基准电压和第二读取基准电压中的至少一个读取基准电压，执行读取操作直到每个块均完成读取过程(read pass)。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 设备 驱动 方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储设备的驱动方法，所述存储设备具有作为读取或写入单位的页面和作为由多个页面组成的擦除单位的多个块，且在每个NAND闪存单元中形成N-位多级单元，从而编程为与N位对应的2N个阈值电压状态，并利用区分所述2N个阈值电压状态之间的阈值电压区间的2N-1个读取基准电压对所述NAND闪存执行读取操作，并且所述方法包括以下步骤：/n在所述存储设备的控制器中，根据一个所述块内的NAND闪存单元的每个保持劣化步骤的阈值电压移位，加载由第一读取基准电压和第二读取基准电压组成的查找表，所述第二读取基准电压与所述一个块内的每个页面组的阈值电压变动对应；/n在所述控制器中，使用属于所述多个块内的每个块的当前劣化步骤的第一读取基准电压和第二读取基准电压中的至少一种读取基准电压，执行读取操作直到所述每个块均完成读取过程。/n
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