[发明专利]一种基于短沟道有机晶体管的多级光存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 201810806368.5 | 申请日： | 2018-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN109036487B | 公开（公告）日： | 2021-03-02 |
| 发明（设计）人： | 陈惠鹏;郭太良;胡道兵;巫晓敏 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | G11C13/04 | 分类号： | G11C13/04;G11C7/00 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350108 福建省福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于短沟道有机晶体管的多级光存储器及其制备方法，所述短沟道有机晶体管多级光存储器包括层叠设置的衬底、栅极、电荷阻挡层、浮栅层、隧穿层、网状源极、源极接触电极、有机半导体层以及漏极；所述网状源极、有机半导体层和漏极形成三明治堆叠结构，网状源极和漏极的重叠区域为器件的有效沟道面积，有机半导体层的厚度为器件的沟道长度，通过控制有机半导体层的厚度即可以实现短沟道有机晶体管的制备；本发明提供的一种基于短沟道有机晶体管的多级光存储器的制备方法不仅仅提高了器件的驱动能力和响应速度，而且提高了器件的存储容量，在柔性上也有巨大的应用价值，为未来的存储器件的应用提供了参考。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 沟道 有机 晶体管 多级 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于短沟道有机晶体管的多级光存储器，其特征在于，所述短沟道有机晶体管多级光存储器包括层叠设置的衬底、栅极、电荷阻挡层、浮栅层、隧穿层、网状源极、源极接触电极、有机半导体层以及漏极；所述有机半导体层和源极接触电极均设置在网状源极表面，其中漏极设置在有机半导体层上，所述网状源极、有机半导体层和漏极形成三明治堆叠结构，网状源极和漏极的重叠区域为器件的有效沟道面积，有机半导体层的厚度为器件的沟道长度，通过控制有机半导体层的厚度即可以实现短沟道有机晶体管的制备；根据有机半导体层对不同波长光的吸收能力不同，采用不同波长的光照对器件进行编写实现器件的多级存储。
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