[发明专利]单晶氮化铟的生长方法在审
| 申请号： | 201810806783.0 | 申请日： | 2018-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN108977887A | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 郭建廷;李方红;常嘉兴 | 申请（专利权）人： | 深圳市科创数字显示技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B25/18 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂;王中华 |
| 地址： | 518000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种单晶氮化铟的生长方法。所述单晶氮化铟的生长方法包括如下步骤：提供一衬底，在所述衬底上沉积介电薄膜；对所述介电薄膜进行图案化，得到均匀排列的多个介电凸台；提供反应室，将形成有介电凸台的衬底放入反应室中并将反应室抽真空；在所述介电凸台及衬底上生长缓冲层，在介电凸台的阻挡下，所述缓冲层的横向生长与纵向生长产生差异，使得所述缓冲层在每一个介电凸台的上方对应形成一个凹槽；在所述缓冲层上生长氮化铟，得到分别位于所述多个凹槽中的多个氮化铟柱；通过形成具有凹槽的缓冲层，使得氮化铟生长在所述凹槽中，能够降低氮化铟的生长难度，提升生长得到的氮化铟质量。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化铟 生长 缓冲层 介电 凸台 衬底 单晶 反应室 沉积介电薄膜 反应室抽真空 横向生长 介电薄膜 均匀排列 纵向生长 图案化 放入 阻挡 | ||
【主权项】：
1.一种单晶氮化铟的生长方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、提供一衬底(10)，在所述衬底上沉积一层介电薄膜(21)；步骤S2、对所述介电薄膜(21)进行图案化，得到均匀排列的多个介电凸台(20)；步骤S3、提供一反应室，将形成有介电凸台(20)的衬底(10)放入反应室中并将反应室抽真空；步骤S4、在所述介电凸台(20)及衬底(10)上生长缓冲层(30)，在介电凸台(20)的阻挡下，所述缓冲层(30)的横向生长与纵向生长产生差异，使得所述缓冲层(30)在每一个介电凸台(20)的上方对应形成一个凹槽(40)；步骤S5、在所述缓冲层(30)上生长氮化铟，得到分别位于所述多个凹槽(40)中的多个氮化铟柱(50)，每一个凹槽(40)中对应形成一个氮化铟柱(50)。
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