[发明专利]一种原位生长石墨烯增强Cf/SiC复合材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201810810633.7 | 申请日： | 2018-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN108863419A | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 李斌斌;毛帮笑;袁小森 | 申请（专利权）人： | 南京航空航天大学 |
| 主分类号： | C04B35/80 | 分类号： | C04B35/80;C04B35/565;C04B35/622;C01B32/186 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210016 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种原位生长石墨烯增强Cf/SiC复合材料及其制备方法，其特征在于，所述的原位生长石墨烯增强Cf/SiC复合材料由碳纤维预制件、PyC界面层、石墨烯、SiC基体组成；PyC界面层厚度为300‑500nm，石墨烯层数为3‑5层；通过等离子体增强CVD法在碳纤维预制体内原位生长石墨烯，然后通过CVI工艺对碳纤维预制件进行增密得到原位生长石墨烯增强Cf/SiC复合材料。本发明有效地解决了石墨烯较难在碳纤维预制件内均匀分散易团聚的问题，同时原位生长的石墨烯可显著提高Cf/SiC复合材料的力学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨烯 原位生长 复合材料 碳纤维预制件 界面层 制备 等离子体增强CVD 力学性能 石墨烯层 体内原位 碳纤维 有效地 预制 团聚 生长 | ||
【主权项】：
1.一种原位生长石墨烯增强Cf/SiC复合材料，其特征在于，复合材料由碳纤维预制件、PyC界面层、石墨烯、SiC基体组成；PyC界面层厚度为300‑500nm，石墨烯层数为3‑5层。
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