[发明专利]基于垂直PIN二极管双向限幅电路及制作方法

摘要

本发明涉及一种基于垂直PIN二极管双向限幅电路的制作方法，包括步骤：刻蚀AlGaN势垒层，在GaN缓冲层上形成正向PIN二极管制作区域和反向PIN二极管制作区域；在刻蚀后的AlGaN势垒层上制作GaN基高频器件；在正向PIN二极管制作区域制作正向PIN二极管；在反向PIN二极管制作区域制作反向PIN二极管；在GaN基高频器件、正向PIN二极管和反向PIN二极管上制作互联层，完成双向限幅电路的制作。本发明实施例的双向限幅电路具有电路面积小、低开态电阻、低关态电容等优点，在大功率信号冲击时的承受能力较强，能够满足高频率、高功率电子器件的需求。

主权项

1.一种基于垂直PIN二极管双向限幅电路的制作方法，其特征在于，所述双向限幅电路在包含衬底层(101)、成核层(102)、GaN缓冲层(103)和AlGaN势垒层(104)的样片上制作而成，包括步骤：/nS1、刻蚀所述AlGaN势垒层(104)，在所述GaN缓冲层(103)上形成正向PIN二极管制作区域(105)和反向PIN二极管制作区域(106)；/nS2、在刻蚀后的所述AlGaN势垒层(104)上制作GaN基高频器件；/nS3、在所述正向PIN二极管制作区域(105)制作正向PIN二极管；/nS4、在所述反向PIN二极管制作区域(106)制作反向PIN二极管；/nS5、在所述GaN基高频器件、所述正向PIN二极管和所述反向PIN二极管上制作互联层(502)，得到双向限幅电路。/n