[发明专利]一种氮化镓基宽摆幅线性化器件及制作方法

摘要

本发明涉及一种氮化镓基宽摆幅线性化器件的制作方法，包括步骤：刻蚀AlGaN势垒层，在GaN缓冲层上形成PIN二极管制作区域；在刻蚀后的AlGaN势垒层上制作AlGaN/GaN HEMT器件，测试得到AlGaN/GaN HEMT器件的输入阻抗；在PIN二极管制作区域制作PIN二极管，使得PIN二极管的输出阻抗与输入阻抗共轭匹配；在PIN二极管和AlGaN/GaN HEMT器件上制作互联层，得到宽摆幅线性化器件。本发明实施例在功率放大器前加入PIN二极管，既可以实现电路宽摆幅，又可以提高功率放大器的线性度。

主权项

1.一种氮化镓基宽摆幅线性化器件的制作方法，其特征在于，所述宽摆幅线性化器件在包含衬底层(101)、成核层(102)、GaN缓冲层(103)和AlGaN势垒层(104)的样片上制作而成，所述制作方法包括：S1、刻蚀所述AlGaN势垒层(104)，在所述GaN缓冲层(103)上形成PIN二极管制作区域(105)；S2、在刻蚀后的所述AlGaN势垒层(104)上制作AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管，测试得到所述AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的输入阻抗；S3、在所述PIN二极管制作区域(105)制作PIN二极管，使得所述PIN二极管的输出阻抗与所述输入阻抗共轭匹配；S4、在所述PIN二极管和所述AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管上制作互联层(402)，得到宽摆幅线性化器件。