[发明专利]变形测量方法及装置有效

专利信息
申请号: 201810811401.3 申请日: 2018-07-23
公开(公告)号: CN109029279B 公开(公告)日: 2020-01-10
发明(设计)人: 冯雪;岳孟坤;李燕;方旭飞 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: G01B11/16 分类号: G01B11/16;G01N3/18
代理公司: 11277 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人: 刘新宇
地址: 100084*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 本公开涉及一种变形测量方法及装置,该方法包括:在待测试件的温度保持不变的情况下,分别获取待测试件表面的待测区域相对于标记物在第一时刻的第一高度场和第二时刻的第二高度场,根据第一高度场及第二高度场,分别获得待测区域在第一时刻的第一图像和第二时刻的第二图像。并根据第一高度场、第二高度场、第一图像和第二图像确定力‑化学耦合机理。本公开根据待测试件表面高度场特征进行分析,操作简便易行。此外,本公开能够获取待测试件在高温氧化过程中的实时数据,进而得到待测试件在不同区域的氧化膜生长厚度。有利于考察材料在不同应力状态下的氧化动力学过程。能够更客观全面的揭示力‑化学耦合机理。
搜索关键词: 高度场 待测试件 变形测量 待测区域 化学耦合 图像 氧化动力学过程 高温氧化过程 氧化膜生长 实时数据 图像确定 温度保持 应力状态 标记物 考察 分析
【主权项】:
1.一种变形测量方法,其特征在于,包括:/n在待测试件达到目标温度的情况下,在第一时刻获取所述待测试件表面的待测区域相对于标记物的第一高度场,其中,所述待测试件由待测量材料制成;/n在所述待测试件的温度保持不变,且与所述第一时刻间隔预定时间段的情况下,在第二时刻获取所述待测区域相对于所述标记物的第二高度场;/n根据所述第一高度场及所述第二高度场,分别获得所述待测区域在所述第一时刻的第一图像及所述待测区域在所述第二时刻的第二图像;/n根据所述第一高度场、所述第二高度场、所述第一图像和所述第二图像,确定力-化学耦合机理;/n根据所述第一高度场、所述第二高度场、所述第一图像和所述第二图像,确定力-化学耦合机理,包括:/n根据所述第二高度场与所述第一高度场之间的差值,确定所述待测区域的氧化膜的生长厚度分布;/n根据所述第一图像和所述第二图像,确定所述待测区域的面内应力场;/n根据所述生长厚度分布和所述面内应力场,确定力-化学耦合机理;/n其中,根据所述第一图像和所述第二图像,确定所述待测区域的面内应力场,包括:/n根据所述第一图像和所述第二图像,通过数字图像相关法获得所述待测区域的应变场;/n根据所述应变场,通过本构模型获得所述待测区域表面的面内应力场。/n
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