[发明专利]一种基于光散射结构的N型隧穿氧化层钝化太阳电池的制备方法

摘要

本发明涉及一种基于光散射结构的N型隧穿氧化层钝化太阳电池的制备方法，包括如下步骤：(1)制绒；(2)清洗绒面；(3)硼扩散形成发射极；(4)在发射极上制备氮化硅掩膜；(5)在N型晶体硅衬底背面进行碱抛去结，并清洗；(6)在衬底背面生长氧化物隧穿层；(7)在氧化物隧穿层上制备磷掺杂硅薄膜，形成BSF结构；(8)接着去除N型晶体硅衬底正面的硼硅玻璃；(9)在上述N型晶体硅衬底发射极表面制备氧化铝钝化膜，接着双面生长氮化硅减反射膜；(10)接着采用丝网印刷在N型晶体硅衬底正面及背面制备金属栅电极。本发明制备方法在降低太阳电池生产成本的同时进一步提高电池的转换效率。

主权项

1.一种基于光散射结构的N型隧穿氧化层钝化太阳电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)将N型晶体硅衬底去损伤层并采用银金属催化湿法制备上下表面制绒；(2)将所述制备了绒面结构的N型晶体硅衬底进行清洗处理，并在背面残留一定数量的银金融颗粒；(3)在所述经过清洗处理的N型晶体硅衬底进行硼扩散，形成发射极；(4)在所述N型晶体硅衬底正面发射极上制备氮化硅掩膜；(5)对上述N型晶体硅衬底背面进行碱抛去结，并进行清洗处理；(6)在上述N型晶体硅衬底背面生长氧化物隧穿层；(7)在上述N型晶体硅衬底背面氧化物隧穿层上制备磷掺杂硅薄膜，形成BSF结构；(8)接着去除N型晶体硅衬底正面的硼硅玻璃；(9)在上述N型晶体硅衬底发射极表面制备氧化铝钝化膜，接着双面生长氮化硅减反射膜；(10)接着采用丝网印刷在N型晶体硅衬底正面及背面制备金属栅电极。