[发明专利]一种金属/氧化物三层异质结薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201810811987.3 | 申请日： | 2018-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN108962539B | 公开（公告）日： | 2020-06-05 |
| 发明（设计）人： | 时钟;李宇飞 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | H01F10/32 | 分类号： | H01F10/32;H01F41/14;C23C14/35;C23C14/16;C23C14/18;C23C14/28;C23C14/08;C23C14/58 |
| 代理公司： | 上海伯瑞杰知识产权代理有限公司 31227 | 代理人： | 胡永宏 |
| 地址： | 200000 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金属/氧化物三层异质结薄膜及其制备方法，包括：在单晶硅或钆镓石榴石衬底上，从下至上依次为铂膜、钇铁石榴石膜和氧化亚钴膜，通过反铁磁氧化物CoO进行覆盖形成三层异质结结构，对传统铂膜/钇铁石榴石膜双层异质结结构进行改进，在同样热梯度条件下自旋热电电压可以提升100％，大大提高了自旋传输率，增强了器件的热稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 氧化物 三层 异质结 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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