[发明专利]一种大面积钙钛矿薄膜及其电池组件的制备方法有效
| 申请号： | 201810813700.0 | 申请日： | 2018-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN109103338B | 公开（公告）日： | 2020-06-19 |
| 发明（设计）人： | 程一兵;卜童乐;钟杰;黄福志 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | H01L51/48 | 分类号： | H01L51/48;H01L51/42 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 崔友明;徐晓琴 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明属于钙钛矿太阳能电池领域，具体涉及一种大面积钙钛矿薄膜及其电池组件的制备方法。所述制备方法包括：清洗透明导电基板并干燥备用；采用化学浴法沉积氧化锡电子传输层；采用狭缝挤出刮涂法均匀涂覆沉积钙钛矿前驱体溶液，然后采用旋涂移动滴反溶剂法处理得到钙钛矿吸收层；使用绿色溶剂配制Spiro‑OMeTAD溶液，采用狭缝挤出刮涂法在钙钛矿吸光层上制备空穴传输层，最后在空穴传输层上蒸镀金属电极。本发明采用狭缝挤出刮涂沉积钙钛矿前驱体溶液，能有效铺展钙钛矿溶液且节约用量；进一步采用移动滴涂反溶剂法在钙钛矿薄膜上均匀移动滴下反溶剂，可以有效地拓宽钙钛矿薄膜的萃取面积，且节约反溶剂的使用量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大面积 钙钛矿 薄膜 及其 电池 组件 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种大面积钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）清洗透明导电基板并干燥备用；（2）在清洗后的透明导电基板上采用化学浴法沉积氧化锡电子传输层；（3）在氧化锡电子传输层上采用狭缝挤出刮涂法均匀涂覆沉积钙钛矿前驱体溶液，然后采用旋涂移动滴反溶剂法处理得到钙钛矿吸收层；（4）使用绿色溶剂配制Spiro‑OMeTAD溶液，采用狭缝挤出刮涂法在钙钛矿吸光层上制备空穴传输层，最后在空穴传输层上蒸镀金属电极，得到大面积钙钛矿薄膜。
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