[发明专利]用于产生表面电荷的包括压电衬垫的FINFET装置及其制造方法

摘要

本发明涉及用于产生表面电荷的包括压电衬垫的FINFET装置及其制造方法，揭示于本文的一例示方法包括，但不限于：形成共形压电材料衬垫层于鳍片的至少相对横向侧壁上，形成绝缘材料凹陷层于该鳍片的相对两边上以及于该共形压电材料衬垫层上，移除该共形压电材料衬垫层在该绝缘材料凹陷层之上的数个部分以藉此暴露该鳍片在该凹陷上表面之上的一部分，以及形成栅极结构于该绝缘材料凹陷层之上以及于该鳍片位在该凹陷上表面之上的一部分四周。

主权项

1.一种形成FinFET装置的方法，包含：在一半导体衬底中形成多个鳍片形成沟槽以藉此形成包含相对横向侧壁的鳍片；至少在该鳍片的该相对横向侧壁上形成共形压电材料衬垫层；形成绝缘材料凹陷层于该鳍片形成沟槽中以及于该共形压电材料衬垫层上，该绝缘材料凹陷层具有凹陷上表面；移除该共形压电材料衬垫层在该凹陷上表面之上的数个部分以藉此暴露该鳍片在该凹陷上表面之上的一部分；以及形成栅极结构于该凹陷上表面之上以及于该鳍片在该凹陷上表面之上的一部分四周。