[发明专利]一种电流保护芯片及其制作方法有效
| 申请号： | 201810816967.5 | 申请日： | 2018-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN108987389B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 佛山市劲电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/08;H01L29/861 |
| 代理公司： | 北京权智天下知识产权代理事务所(普通合伙) 11638 | 代理人： | 王新爱 |
| 地址： | 528300 广东省佛山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种电流保护芯片及其制作方法，包括：第一导电类型的衬底；第二导电类型的第一外延层；第一导电类型的第一埋层和第二导电类型的第二埋层，形成于所述第一外延层内；第一导电类型的第二外延层，形成于所述第一外延层表面；第二导电类型的第一注入区和第一导电类型的第二注入区，形成于所述第二外延层表面，且所述第二注入区位于所述第一注入区内；多晶硅层，分别与所述第一注入区和所述第一埋层连接；介质层，形成于所述第二外延层上表面；第一电极，包括贯穿所述介质层并延伸至所述第二注入区的第一部分和形成于所述介质层表面的第二部分；第二电极，形成于所述衬底的下表面并与所述衬底连接。本发明可提高器件性能降低器件成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电流 保护 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
