[发明专利]碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201810817464.X | 申请日： | 2018-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN109427902A | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | 桥爪悠一;熊田惠志郎;星保幸 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L23/482;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 张欣;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供防止焊料到达碳化硅基体表面且特性不会劣化，可靠性不会降低的碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法。碳化硅半导体装置具备：第二导电型的第二半导体层(3)；第一导电型的第一半导体区域(7)；隔着栅绝缘膜(9)设置的条纹状的栅电极(10)。还具备：设置于第二半导体层(3)和第一半导体区域(7)的表面的第一电极(13)；选择性地设置在第一电极(13)上的阶梯差膜(19)；选择性地设置在第一电极(13)和阶梯差膜(19)上的镀膜(16)；和设置在镀膜(16)上的焊料(17)。阶梯差膜(19)以填埋形成在第一电极(13)上的槽的方式设置在设有焊料(17)和镀膜(16)的第一电极(13)上。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅半导体装置 第一电极 焊料 阶梯差 镀膜 半导体区域 半导体层 导电型 碳化硅基体 方式设置 栅绝缘膜 条纹状 栅电极 劣化 填埋 制造 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅半导体装置，其特征在于，具备：第一导电型的半导体基板；第一导电型的第一半导体层，其设置于所述半导体基板的正面，且杂质浓度比所述半导体基板的杂质浓度低；第二导电型的第二半导体层，其选择性地设置于所述第一半导体层的与所述半导体基板侧相反的一侧的表面；第一导电型的第一半导体区域，其选择性地设置于所述第二半导体层的与所述半导体基板侧相反的一侧的表面层；条纹状的栅电极，其隔着栅绝缘膜设置于所述第二半导体层的与所述半导体基板侧相反的一侧；层间绝缘膜，其覆盖所述栅电极；条纹状的接触孔，其以使所述第二半导体层和所述第一半导体区域露出的方式设置于所述层间绝缘膜；第一电极，其设置于从所述接触孔内露出的所述第二半导体层和所述第一半导体区域的表面；镀膜，其选择性地设置于所述第一电极上；所述镀膜上的焊料；以及第二电极，其设置于所述半导体基板的背面，在设置所述镀膜的区域中，在所述接触孔内的所述第一电极上，针对各个所述接触孔分别选择性地设置有至少一个阶梯差膜。
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